Verstärker in Emitterschaltung < Elektrotechnik < Ingenieurwiss. < Vorhilfe
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(Frage) beantwortet  | | Datum: | 16:04 Fr 02.12.2011 | | Autor: | aNd12121 |
| Aufgabe | Hallo,
wir sollten den Innenwiderstand eines Verstärkers in Emitterschaltung messen und anschließend auch nochmal theoretisch berechnen.
Bei der Berechnung hab ich aber irgendwie Probleme. |
Hallo,
man hat ja bei einem Verstärker in Emitterschaltung einen Basisspannungsteiler vor dem Transistor.
Lässt sich der Eingangswiderstand dann wie folgt berechnen?
Re = Rbe || R1 || R2
wobei Rbe der Eingangswiderstand vom Transistor ist.
mit freundlichen Grüßen
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Hallo!
> Hallo,
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> wir sollten den Innenwiderstand eines Verstärkers in
> Emitterschaltung messen und anschließend auch nochmal
> theoretisch berechnen.
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> Bei der Berechnung hab ich aber irgendwie Probleme.
> Hallo,
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> man hat ja bei einem Verstärker in Emitterschaltung einen
> Basisspannungsteiler vor dem Transistor.
>
> Lässt sich der Eingangswiderstand dann wie folgt
> berechnen?
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> Re = Rbe || R1 || R2
Prinzipiell ist das korrekt. Ich würde es vielleicht noch einen Tick genauer aufschreiben. In einer Emitterschaltung (Transistorart: Bipolar mit NPN-Struktur) liegt der Eingangswiderstand [mm] r_{E} [/mm] für gewöhnlich zwischen [mm] 20\Omega [/mm] und [mm] 5k\Omega. [/mm] Aufgrund des differentiellen Eingangswiderstandes [mm] r_{BE} [/mm] können die Eingangswiderstandswerte im Einzelfall deutlich von diesem Intervall abweichen. Man hat also
[mm] r_{e}=r_{BE}||R_{1}||R_{2}
[/mm]
> wobei Rbe der Eingangswiderstand vom Transistor ist.
>
> mit freundlichen Grüßen
Viele Grüße, Marcel
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